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国产光刻胶迸发:已掩盖28nm~90nm打破日本独占

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  由于芯片进行光刻工艺时,是使用投影原因,光线将芯片电路图,照射在涂了光刻胶的硅晶圆片上,然后光刻胶见光就会发生变化。

  与光刻机对应,光刻胶也按工艺区分,有g线、i线、KrF、ArF、EUV这么5种。

  国内g线、i线、KrF工艺上可以出产光刻胶,但自给率不高,g线年前国内自给率根本接近于0,至于EUV就想都没想了,现在全球仅日本可以出产EUV光刻胶。

  从全球光刻胶商场来看,日本把握最抢先的光刻胶配方和工艺,东京应化、JSR、富士、信越化学、住友化学等日本厂商占有80%以上商场份额。

  这样的状况,对我国芯的开展,当然十分晦气,所以跟着国产芯片大开展,供应链也是团体打破,所以这几年国内也有几家光刻胶企业,在向ArF建议冲击,想要在14nm及以上的工艺上完成0的打破,打破国外独占。

  2022年就有好几家企业表明,自己出产的ArF光刻胶,现已完成了60nm、45nm等工艺的掩盖,而且接到了订单等。

  而6月2日,国产光刻胶大厂南大光电在互动途径上称,公司开发了多款ArF光刻胶鄙人游客户处验证,制程掩盖28nm~90nm。

  很明显,南大光电再次打破了国外独占,究竟28nm工艺的光刻胶,之前国内是彻底出产不出来的,只能从日本进口。

  现在美国正在逆全球化,联手日本、荷兰等,对我国半导体工业进行镇压,所以半导体供应链安全至关重要,光刻胶作为半导体工业中心原资料,技术壁垒高,质料自主可控尤为要害。

  期望更多的厂商,可以在光刻胶、光刻机等等设备和资料上,不断的打破,打破国外的独占,让国外无法卡咱们的脖子。

  一起国产晶圆厂,也应该尽力的加强与国产供应链的协作,及时试用产品,加速产品验证与导入速度,给国产供应链以更好的生长环境和根底。

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