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山形富士通、富士通研讨所、神奈川科学技能研讨院（KAST）光科学要点研讨所室益田研讨小组一同尽力，成功地以25nm距离在氧化铝上以一维方法摆放出了纳米孔（发布材料）。纳米孔是经过阳极氧化构成的。不只要望完成记载密度达1Tbit/平米英寸的磁记载，还能将硬盘磁记载介质的记载容量提高到现有产品的5倍以上。
在1月7日于美国巴尔的摩举办的磁技能国际会议“JointMMM/IntermagConference（MMM-Intermag2007）”上对该技能进行了具体宣布。此次开发的技能是一项旨在完成Tbit级笔直磁记载介质的基础性研讨，是受日本科学技能复兴组织（JST）的托付作为立异技能开发研讨项目而施行的。研讨时刻自2004年至2006年度，共历时3年。
可增加硬盘记载密度的笔直磁记载的研制造业早已进入实用化阶段。业界以为往后为完成密度更高的磁记载，需求采用以人工方法对磁性材料来规矩摆放、称为“晶格介质（PatternedMedia）”的记载介质。众所周知，由铝经过阳极氧化而成的氧化铝存在很多纳米级的纳米孔。经过在这些纳米孔中填充磁性金属，就有望完成晶格介质。
不过，氧化铝中的纳米孔有一个特色，它会以自生方法构成蜂窝状的六方形细密结构，因此不适合沿圆周方向进行磁记载的硬盘。因此该研讨小组于2005年6月开发了先在铝外表以直线状构成凹凸图画，再对氧化铝纳米孔进行一维摆放的方法（发布材料）。但其时的一维摆放距离最小只要45nm。此次经过对阳极氧化条件来优化，在凹部内构成双列纳米孔，然后缩小了距离。即使是距离挨近电子束制造极限的50nm距离的凹凸线nm的凹部两边构成纳米孔列，以此来完成了25nm距离。
除此之外，还在填充了磁性体的纳米孔磁性层（纳米孔为随机摆放）下方，构成了用于将磁束向记载层会集的软磁性底膜，并成功地使用笔直磁记载头进行了记载和读取。往后预备制造以25nm距离沿圆周方向摆放纳米孔，而且含有软磁性底膜的记载介质，力求完成1Tbit/平米英寸级的记载与读取。
