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我国科学院开宣布单晶氧化铝栅介质资料“人工蓝宝石”，厚度仅1纳米,可有用阻挠电流走漏，有望打破传统芯片物理极。相关效果8月7日发表于世界学术期刊《天然》。
集成电路是现代技能进步的柱石，但在尺度缩小方面面临着严峻的应战。作为组成芯片的根本元件，晶体管的尺度跟着芯片缩小不断挨近物理极限，其间发挥着绝缘效果的栅介质资料十分要害。
我国科学院上海微体系与信息技能研究所研究员狄增峰团队开宣布面向二维集成电路的单晶氧化铝栅介质资料——
，这种资料具有杰出的绝缘功能，即便在厚度仅为1纳米时，也能有用阻挠电流走漏。相关效果以《面向顶栅结构二维晶体管的单晶金属氧化物栅介质资料》为题，8月7日发表于世界学术期刊《天然》。
但是，二维半导体沟道资料短少与之匹配的高质量栅介质资料，导致二维晶体管实践功能与理论存在比较大差异。我国科学院上海微体系与信息技能研究所研究员狄增峰说。狄增峰表明，传统的栅介质资料在厚度减小到纳米等级时，绝缘功能会下降，从而导致电流走漏，添加芯片的能耗和发热量。为应对该难题，团队立异开宣布原位插层氧化技能。
狄增峰介绍，团队成功以单晶氧化铝为栅介质资料制备出低功耗的晶体管阵列，晶体管阵列具有十分杰出的功能一致性。晶体管的击穿场强、栅漏电流、界面态密度等目标均满意世界器材与体系路线图对未来低功耗芯片的要求，有望启示业界开展新一代栅介质资料。
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